全国统一服务热线:
010-82461830
搜索
首页
产品与服务
选型与方案
臭氧与应用
知识与标准
案例中心
简介与荣誉
联系我们
空气消毒专用臭氧发生器
水处理专用臭氧发生器
实验用臭氧发生器
特殊专用臭氧发生器
臭氧浓度检测仪
臭氧发生器配套设备
进口臭氧发生器
臭氧催化氧化实验解决方案
制药厂臭氧发生器解决方案
污水处理臭氧发生器解决方案
食品厂臭氧发生器方案
养猪场用臭氧发生器对物料、饲料消毒解
冷库保鲜臭氧发生器解决方案
废气臭氧发生器解决方案
游泳池臭氧发生器解决方案
臭氧发生器洗衣服方案
臭氧发生器在自备井消毒的应用
臭氧发生器在食用菌种植上的应用
臭氧发生器葡萄酒中的方案
臭氧发生器水处理中应用
臭氧发生器餐饮中应用
臭氧发生器环保中应用
臭氧发生器渔业中应用
臭氧发生器饮用水中应用
臭氧发生器制药中应用
臭氧发生器食品中应用
臭氧发生器畜牧业的应用
臭氧发生器农业中应用
公司新闻
行业新闻
臭氧知识
标准法规
臭氧计算器
食品厂臭氧发生器案例
洁净间臭氧发生器案例
矿泉水臭氧发生器案例
废气处理臭氧发生器案例
试验用臭氧发生器案例
污水处理臭氧发生器案例
游泳池臭氧发生器案例
自备井臭氧发生器案例
制药厂臭氧发生器案例
农业种植臭氧应用案例
企业简介
荣誉资质
企业文化
公司新闻
行业新闻
臭氧知识
标准法规
臭氧计算器
产品推荐
高浓度臭氧发生器AbsoluteOzone Atlas H30
实验用臭氧发生器3S-T(3g、5g、10g)
3S-F分体式臭氧发生器
3S-W氧源一体臭氧发生器(内置制氧机)
臭氧在线检测仪(臭氧发生器出口浓度检测)
高精度标准源UV臭氧发生器(UV-M2)
壁挂式臭氧发生器 3S-K
移动式臭氧发生器3S-Y
MJ高精度实验臭氧发生器组合
3S-B高浓度臭氧水机(一体机)
加拿大M10G型高精度进口臭氧发生器(实验室用)
加拿大长寿Longevity EXT-C高精度臭氧发生器(10档可调)
3S-X小型臭氧发生器
3S-OT氧源一体臭氧发生器
最新文章
详解臭氧发生器三种工作原理
洁净间臭氧消毒(含中央空调)投加臭氧产量计算
臭氧发生器在PLD(Pulsed Laser Deposition)技术中的应用
臭氧发生器杀菌怎么知道有没有效果?
制药厂洁净间臭氧消毒验证流程及注意事项
标准源臭氧发生器如何操作
泳池用臭氧发生器选型影响因素有哪些
HJ 590-2010《环境空气 臭氧的测定 紫外光度法》 标准下载
臭氧浓度10ppm等于多少mg/m3
2024中国环境技术大会暨中国环境科学学会单位会员交流年会(2024年4月17日)
臭氧发生器工作原理及工作流程
一种α晶型的二氧化锰催化臭氧氧化降解VOCs的方法
臭氧水对果蔬农药降解效果怎么样?
问:被臭氧熏过的屋子能睡人吗?
臭氧知识
当前位置:
主页
>
知识与标准
>
臭氧知识
>
硅片清洗之干法清洗有哪些方法
来源:
臭氧发生器
作者:同林臭氧
时间:2021-09-29 18:08
阅读量:
硅片清洗之干法清洗有哪些方法
1.干冰清洗
当温度超过31.1℃、压强达到7.38MPa 时,CO2处于超临界状态,可以实现气态和固态的相互转换。CO2从钢瓶中通过喷嘴骤然喷出,压力下降、体积极速膨胀,发生了CO2的等焓值变化,气液混合的CO2生成固态干冰微粒,从而实现清洗硅片。干冰微粒去除颗粒和有机物杂质的机理不同。去除颗粒杂质时,干冰颗粒与颗粒杂质发生弹性碰撞,产生动量转移,颗粒杂质被粉碎,随高速气流被带走。去除有机物杂质时,干冰颗粒与有机物发生非弹性碰撞,干冰颗粒液化包裹有机物脱离硅片表面,然后固化被高速气流带走。
X Guo[15]等人提出了一种新型干冰微粒喷射清洗技术,采用纯度为5N、压强为8MPa 的CO2气体源、喷嘴前压强11MPa 的清洗参数,很后得到了很好的清洗效果。
采用干冰微粒清洗技术对硅片进行清洗效果十分理想,而且对硅片表面无损害,不会污染环境,是一种理想的清洗技术。
2.紫外-臭氧清洗
J R Vig[16]于1986 年提出了紫外线-臭氧清洗技术(UV/O3)。通过实验测得波长为253.7nm 和184.9nm 的紫外光,这两种波长的光子可以直接打开和切断有机物分子中的共价键,使有机物分子活化,分解成离子、游离态原子、受激分子等。与此同时, 184.9nm 波长紫外光的光子能将空气中的氧气(O2)分解成臭氧(O3);而253.7nm波长的紫外光的光子能将O3分解成O2和活性氧(O),这个光敏氧化反应过程是连续进行的,在这两种短波紫外光的照射下,臭氧会不断的生成和分解,活性氧原子就会不断的生成,而且越来越多,由于活性氧原子(O)有强烈的氧化作用,与活化了的有机物-碳氢化合物等分子发生氧化反应,生成挥发性气体,如:CO2,CO,H2O,NO 等,逸出物体表面,从而彻底清除了粘附在物体表面上的有机污染物。
UV/O3清洗技术可以有效的去除硅片表面的有机杂质,对硅片表面无损害,可以改善硅片表面氧化层的质量,但是对无机和金属杂质的清除效果不理想。采用相同的原理,WJ Lee 和HT Jeon[17]利用UV/O3清洗过程中加入了HF,不仅除去了有机杂质而且对无机和金属杂质也有很好的清除效果。
3.气相清洗
气相清洗利用清洗剂高温气化,气流上升至材料表面,由于温度的差异发生冷凝,清洗剂溶解掉材料表面的杂质,回落到分离池,去除清洗剂中的水分和杂质后,清洗剂再回到加热槽进行气化,如此循环往复实现芯片表面清洗,如图1 所示。
WH Lin[18]利用溴丙烷作为气相干洗的清洗剂,对砷化镓半导体裸芯片进行清洗。清洗过程没有对砷化镓芯片造成破坏而且得到了很好的清洗效果,经过实验的进一步测试,清洗后,芯片的性能保持稳定。采用类似的方法G Shi[19]利用氟利昂和异丙醇混合的有机溶剂作为清洗剂,清洗印刷电路板PCB,清洗效果优异。
由此证实了该方法是一种高度满足清洗要求的优秀工艺,并且可以推广到硅片的清洗工艺中。
4.束流清洗技术
束流清洗是指在电场力的作用下,雾化的导电化学清洗剂通过毛细管形成细小的束流状,高速冲击在硅片表面上,使得杂质与硅原子之间的范德瓦尔斯键断裂,杂质脱离硅片表面,实现硅片清洁。J F Mahoney[20]等人于1998 年提出了微集射束流清洗技术,将超高速的物质或能量流直接作用于硅片表面的杂质,使得杂质与硅原子之间的范德瓦尔斯键断裂,杂质脱离硅片表面。在此理论的基础上,超声波束流清洗技术得到了空前的发展。
WD jiang[21]等人利用KrF 准分子激光器对硅片表面的Al2O3杂质进行了清洗试验和理论分析。利用248nm、30ns 的KrF 准分子激光源垂直照射到大小为5mm×10mm、厚度为650μm 的硅片上进行清洗试验,然后使用MX40 光学显微镜对清洗前后的硅片进行观察。得出使用单个脉冲能量密度为90mJ/cm2 时,1μm 大小的Al2O3颗粒及其团聚颗粒被明显去除,激光的清洗效率达到90%。激光束流清洗技术能够有效的去除微米级和亚微米级的杂质颗粒,而且不对硅片表面造成损坏,是一种潜力极大的新型清洗技术。
本文标题:硅片清洗之干法清洗有哪些方法
本文链接:https://www.tonglin.cn/changshi/572.html
本文关键词:
硅片清洗
上一篇:
硅片清洗技术-湿法清洗的四种方法
下一篇:
臭氧高级催化氧化实验去除煤化废水中苯系物
热门文章
GB/T 37894-2019 水处理用臭氧发生器技术要求(新)
GB28232-2011臭氧发生器安全与卫生标准(卫生部和标准委员会)NEW
影响臭氧发生器使用寿命的因素有哪些
GB 28232-2020《臭氧消毒器卫生要求》增加了哪些内容
GB/T 15437-1995 环境空气 臭氧的测定 靛蓝二磺酸钠分光光度法 标准
GB 27952-2020《普通物体表面消毒剂通用要求》技术变化内容
集装箱臭氧发生器水处理系统调试完成
HJ 504-2009 环境空气 臭氧的测定 靛蓝二磺酸钠分光光度法下载
相关文章
硅片清洗技术-湿法清洗的四种方法
2021-09-22
臭氧与有机物是如何反应的呢
紫外线杀菌消毒产生异味的根本原因
水和废水监测分析方法(第四版)pdf下载
臭氧应用