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为尖端材料沉积赋能:北京同林M1000型高精度臭氧源

为尖端材料沉积赋能:北京同林M1000型高精度臭氧源

摘要

在原子层沉积(ALD)、脉冲激光沉积(PLD)等尖端材料制备工艺中,前驱体的精准投递与稳定反应是生成高质量、高性能薄膜的关键。臭氧作为强氧化剂,其纯度、浓度及流量的稳定性直接决定了薄膜的结晶质量、均匀性和性能。

更新时间:2025-09-16
来源:www.tonglin.cn
作者:同林科技
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关键词: 臭氧源
详细介绍相关案例

为尖端材料沉积赋能:北京同林M1000型高精度臭氧源

在原子层沉积(ALD)、脉冲激光沉积(PLD)等尖端材料制备工艺中,前驱体的精准投递与稳定反应是生成高质量、高性能薄膜的关键。臭氧作为强氧化剂,其纯度、浓度及流量的稳定性直接决定了薄膜的结晶质量、均匀性和性能。

北京同林M1000型高精度臭氧发生器,专为应对此类严苛实验环境而生,致力于为您的材料科学研究提供纯净、稳定、可精准调控的高品质臭氧气源。

为尖端材料沉积赋能:北京同林M1000型高精度臭氧源

为ALD/PLD实验量身定制的核心特性

超高纯度气体输出,保障薄膜本征特性

采用进口双阻挡介质石英放电管与优化电晕技术,产生超高纯度臭氧,无氮氧化物(NOx)及金属离子杂质。彻底避免杂质掺入对薄膜(如高k介质、透明导电氧化物)电学、光学性能的不利影响,确保实验数据的真实性与重复性。

精密浓度与流量控制,实现工艺完美重复

独特的十档位线性浓度调节功能(1-110mg/L),可精准匹配不同前驱体的氧化反应动力学需求。无论是需要低浓度臭氧进行表面温和氧化,还是高浓度臭氧实现快速体相反应,M1000都能提供稳定、精确的气源,是实现ALD自限制性反应和PLD均匀沉积的重要保障。

卓越的稳定性与长寿命,支持不间断工艺运行

模块化抗臭氧氧化设计与高效风冷系统,确保设备可连续稳定工作,完全满足ALD设备长时间、多循环的工艺需求。输出浓度无漂移,杜绝因源的不稳定导致的膜厚波动与性能差异,极大提升科研效率。

双气源灵活适配,优化科研成本与效果

支持氧气与洁净干燥空气两种气源模式。使用氧气时,可获得高浓度臭氧,适用于对氧化效率要求极高的反应;使用空气时,成本更低,足以满足多数常规实验需求。一机两用,为您的科研预算提供灵活选择。

为尖端材料沉积赋能:北京同林M1000型高精度臭氧源

核心参数一览:精准量化您的需求

参数维度详细指标对ALD/PLD实验的价值
产出性能产量:≥1 g/h
浓度范围:1 - 110 mg/L
纯度:无氮氧化物、无金属离子
满足实验室级反应腔体用量;宽范围浓度适配不同材料体系;确保薄膜本征性能。
控制精度调节档位:10档精密可调
进气流量:0.03 - 2 L/min
进气压力:0.01 - 0.04 Mpa
实现工艺参数的精细化、重复性控制;便于工艺开发与优化。
运行特性电源:220V 50Hz
功率:50W
冷却方式:风冷
连续运行:≥1000小时
低功耗节能设计;无需外接冷却水,安装简便;支持超长周期不间断工艺。
物理特性尺寸:370*185*110mm
重量:2.8kg
安装方式:平放/壁挂
结构紧凑,节省宝贵实验室空间;可轻松集成于设备架或实验

本产品已成为国内众多顶尖科研单位在材料科学研究中的首选臭氧源,成功应用于:

中国科学院各大研究所的ALD/PLD系统

清华大学、北京大学的前沿材料实验室 


选择M1000,选择可靠与精准

在探索新材料前沿的道路上,不应因“源”的不稳定而徒增变量。北京同林M1000型臭氧发生器以可靠的稳定性、精准的可控性和极高的纯净度,为您扫除科研障碍,助力您更专注于工艺创新与发现,加速科研成果的产出。