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ALD、半导体用臭氧发生器有哪些品牌

近些年半导体、ALD蓬勃发展，臭氧被电子工业用于形成 CVD 和 ALD 薄膜、氧化物生长、光刻胶去除和多种清洁应用。我们介绍几款能满足半导体行业用的臭氧发生器。

1、美国SEMOZON AX8415 

SEMOZON  AX8415 是 MKS 开发的具创新性和多功能性的臭氧发生器。该臭氧发生器的新颖结构和电池设计可产生高清洁、高浓度、高流量的臭氧，将氧气转化为 >400 g/Nm3 的高浓度臭氧，适用于半导体、平板显示器和光伏行业的前沿应用。

特点

在 5℃ @ 2.5 slm 时臭氧浓度高达 425 g/Nm3 或 27.1 wt%

从 2.5 slm 到 50 slm 的 O2 流量可实现工艺灵活性

获得的电池设计可产生高浓度臭氧

在添加或不添加氮气的情况下运行

闭环操作可实现更严格的过程控制

水冷

2、日本住友GRG臭氧发生器

日本住友GRG臭氧发生技术应用于满足饮用水和废水处理设施、游泳池和水族馆以及工业用水、废水和再生水的工业设施的水处理需求水。此外，已将相同的技术应用于化学品制造商、半导体制造商和 LCD 制造商等的生产过程中。

特点

无氮掺杂超净臭氧无二氧化氮(NO)

高浓度400g/m2(N)[25.6wt%]

稳定的臭氧浓度

体积小、重量轻 放电单元和动力单元在一个单元内

耐高压0.5MPa（工作压力：0.15MPa）

CE、 NRTL、 SEMI S2 兼容应用

ALD光刻胶条

LPCVD湿法清洗SOM

水冷

3、加拿大Absolute Ozone ATLAS P30

Absolute Ozone® 臭氧发生器由于独特的优雅设计，利用微流体平台技术和出色的耐用性，所有风冷式 Absolute Ozone® 发生器都能可靠地为各种特殊应用提供超纯、高浓度的臭氧。能够可靠地产生高达 16% 重量的高浓度臭氧。

特点

在添加或不添加氮气的情况下运行

浓度（重量百分比 O3）：200mg/L（5 -20wt%）

工作压力：15-35Psig

气体流量：0.1 - 4 slpm

风冷，将臭氧发生器放置在通风良好且不受天气因素影响的区域

药物合成

ALD

4、美国 IN USA OG-5000 臭氧发生器

OG-5000系列臭氧发生器是为满足半导体工业中对高浓度洁净臭氧的需求而设计的，可应用于化学气相沉积、原子层沉积、氧化物生长和湿法处理过程中。

特点

浓度（重量百分比 O3）：超200mg/L（5 -20wt%）

用于掺杂的氮气 级别五或更高 (仅0.5%)

进气流量 0.5 到 20 slpm

臭氧出口压力 15 到 40 psig

化学气相沉积 (CVD)

原子层沉积 (ALD)

氧化物生长

表面处理

水冷

5、瑞典Primozone GM1-4 2.0 

Primozone GM1-4 2.0 高性能臭氧发生器基于 Primozone 的技术。一种可实现可靠臭氧生产的技术，具有低能耗和出色的生命周期成本。高性能臭氧发生器基于 Primozone 的技术。一种可实现可靠臭氧生产的技术，具有低能耗和出色的生命周期成本。

特点

进气氧气> 94%, N2 < 1%

可产生浓度高达 300 g /m&sup3; 臭氧（相当于 20% 重量）

绝对气压为 3 bar / 43.5 psi

每台发电机都有一个集成的控制系统，提供安全、监控和控制。

模块化设计使发电机可靠且易于维护。

以上5款为半导体行业常用的高浓度臭氧发生器，如果还想了解更多信息，可以联系同林。